高寬頻去耦合元件屬於電力、量測、光之儲存裝置類,源自改良液態電容器而得,因1992年發生高水系低阻抗電容器爆漿事件，導致臺系液態電容器遭到全球電腦廠全面禁用,為因應液態電容器無法符合電腦主基板零件的需求,工研院化材所以國家研發計畫投入製程改良,生產固態電容器,但初期使用二氧化錳為元件材料,仍有在高溫下會釋放氧氣而燃燒的危險,使得國際知名科技廠商,著手在導電高分子材料配方、固態電容器元件設計及製程設備等相關領域之技術研發.
物件的製造技術以鋁質固態電容為主，加入導電高分子為電解質，結合薄片結構堆疊技術與四端子電極構造，而具有低阻抗、低感抗、快速應答及高頻濾波等優點，滿足電子產品對基板微型化、訊號傳輸高速化之需求，應用範圍涵蓋高階顯示卡、高階主機板、電視遊樂器等高規商品。
物件見證專利技術所衍生之材料、製程及結構設計等專利共有25件，還取得日本、美國、中華民國及中國大陸等國家專利，藉由技轉或新創模式，協助國內電容廠商提昇技術能量。因專利陸續授權予國內SMD型鋁質固態電容器廠商「松木高分子」與全球前五大電容廠「立隆電子」，促進了業者投入上億元資金建立高寬頻去耦合元件量產能力，引領國內被動元件產業邁入下世代產品，擺脫低價競爭的紅海市場。
NICA-Decoupling device
電子類
2016
工業技術研究院材化所
金屬
元件採用導電高分子鋁質晶片電容之技術，運用薄片結構堆疊與多端子電極結構，而兼具有「去耦合」與「濾波」之模組化元件
更新日期：1/13/2026 1:29:48 AM